MOS管 亚阈值电压是什么?

我们知道经常会提及MOS管的阈值电压,那亚阈值电压大家是否熟知呢?简单来说,栅极电压低于阈值电压,半导体表面仅仅只是‘弱反型’时,相应的漏极电流称为亚阈值电流。

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雪崩击穿(MOS管篇)

雪崩击穿 是指在高压、高电场强度下,半导体材料中的载流子倍增现象。 当半导体内部的电场强度达到一定程度时,原本稳定的载流子将会被加速,与晶格发生碰撞,产生更多的载流子。 这些新产生的载流子又会继...

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MOS管中漏电流产生的主要六大原因

漏电流会导致功耗,尤其是在较低的阈值电压下。下面我们来了解在MOS管漏电流找到的主要的六大原因

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衬偏效应和体效应(MOSFET篇)

衬底偏置效应和体效应是半导体器件中常见的两种效应。

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MOS管Vg大于Vth后,耗尽区会不会继续变大?

但当栅极电压超过阈值电压时,MOS管进入了放大区或饱和区,这意味着栅极电压足够大以至于完全反转了耗尽区。 在饱和区或放大区,MOS管的漏极到源极的电流几乎不再受耗尽区的影响。相反,漏极到源极电流主要...

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求解mos管亚阈值导通现象?

当栅极电压低于阈值电压时,栅极与漏极之间的反型二极管会出现反向偏置,这会导致漏极侧的亚阈值电流开始流动。 亚阈值导通现象是由于亚阈值电流的存在。在亚阈值区域,MOS管的亚阈值电流随着栅极电压的增加而...

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