MOS管参数

日期:2022-12-16 分类:产品知识 浏览:4199 来源:广东佑风微电子有限公司


  MOS管参数

  1、VGS(th)(开启电压)

  当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。

  应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

  MOS管的导通条件

  MOS管的开关条件:

  N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通;

  P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

  MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)|

  2、VGS(最大栅源电压)

  栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

  3、RDS(on)(漏源电阻)

  导通时漏源间的最大阻抗,它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。

  MOS管 导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

  现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。

  4、ID(导通电流)

  最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。

  一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗,判断是否会超过 ID。

  5、VDSS(漏源击穿电压)

  漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

  击穿后会使得 ID 剧增。

  这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。

  6、gfs(跨导)

  是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比,

  是表征MOS管放大能力的一个重要参数,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。

  过小会导致 MOS 管关断速度降低,过大会导致关断速度过快, EMI特性差。


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