场效应管发热严重的原因

场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有
N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。　

MOS场效应管有加强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型（MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D（Drain）称为
漏极，相当双极型三极管的集电极；G（Gate）称为栅极，相当于双极型三极管的基极；
S（Source）称为源极，相当于双极型三极管的发射极。