有机场效应晶体管的结构

有机场效应晶体管在结构上类似一个电容器，源、漏电极和有机半导体薄膜的导电沟道相当于一个极板，
栅极相当于另一个极板。
当在栅、源之间加上负电压从VGS后，就会在绝缘层附近的半导体层中感应出带正电的空穴，栅极处会
积祟带负电的电子。
此时在源、漏电极之间再加上一个负电压VDS，就会在源漏电极之间产生电流IDS通过调节VGS和Vns可
以调节绝缘层中的电场强度，而随着电场强度的不同，感应电荷的密度也不同。
因而，源、漏极之间的导电通道的宽窄也就不同，进而源、漏极之间的电流也就会改变。
由此，通过调节绝缘层中的电场强度就可以达到调节源漏极之间电流的目的。保持VDS不变，当VGS较小
时IDS很小，称为“关”态；当VGS较大时，IDS达到一个饱和值，称为“开”态。