有机场效应晶体管介绍

有机场效应晶体管由三个电极即源极（source）漏（drain）极、栅极（gate）、有机半导体层和栅绝缘层组成。
根据器件的结构，有机场效应晶体管可以分为四类：底栅底接触式、顶栅顶接触式、项栅底接触式和底栅I页接触式。
底栅和顶栅是根据栅极的位置来划分，底栅是栅极沉积在栅绝缘层的下方，顶栅是栅极沉积在有机半导体和绝缘层上
方;而顶接触和底接触是根据有机半导体和源漏电极的位置来划分，顶接触是有机半导体先生长在栅绝缘层再进行源漏
电极的沉积，而底接触是有机半导体的基底是源漏电极和栅绝缘层。
不同的器件结构会引起不同的载流子注入方式和器件性能，比如在底栅底接触中，载流子可以直接从电极边缘注入导
电沟道中，而在底栅顶接触中，有机半导体把源漏电极和导电沟道隔开，从电极向导电沟道注入的载流子必须穿过有
机半导体层才能到达导电沟道中，这样很有可能会增加接触电阻而导致载流子的注入效率降低，但是这种结构的器件
由于电极与有机半导体的接触面积相对较大，在有机半导体层很薄的情况下，接触电阻反而变得很小：另外，由于项
接触是有机半导体材料直接沉积在绝缘层上，膜的质量也比较优质，因此器件的性能比底接触的较好一些。但是从制
作器件的工艺方面考虑，顶接触是源漏电极沉积在有机半导体薄膜上，很可能对有机半导体引起一些负面影响，比如
破坏有机半导体的结构等：另一方面，顶接触器件尺寸和集成度不能做到比底接触的小和高，因此，顶接触不宜进行
大面积的生产，在一定程度上限制了其实际应用。