MOS管总结导致发热的主要因素

总结导致发热的主要因素主要有以下几点：
电路设计问题，MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态，MOS管导通过程时间过长导致，功率管的驱动频率太高，频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大。

功率管选型不当，导通阻抗(RDS(ON))确实是最为关键品质因数，然而开关损耗与功率管的cgd和cgs也有关，大部分工程师会优先选用低导通电阻的MOS管，然而内阻越小，cgs和cgd电容越大，所以选择功率管时够用
就行，不能选择太小的内阻。

通过漏极和源极的导通电流ID过大，造成这样的原因主要是没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。