MOS管相关概念解释

日期:2024-01-25 分类:产品知识 浏览:515 来源:广东佑风微电子有限公司


“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。
在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。

“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体)主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主。



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