用电压控制的场效应用管也可当作三极管用

晶体管类型：MOSFET

控制通道类型：N通道

最大功耗（Pd）：0.83 W.

最大漏源电压| Vds |：60 V.

最大栅源电压| Vgs |：20 V.

最大栅极阈值电压| Vgs（th）|：3 V.

最大漏极电流| Id |：0.5 A.

最高结温（Tj）：150°C

最大漏源导通电阻（Rds）：5欧姆

技术数据由BS170 / D TMOS FET开关N Channel 增强型BS170 1 DRAIN 2 GATE？ 3源极最大额定值1 2额定值符号值单位3漏极 电源电压VDS 60 VdcCASE29 04，型号30栅极 电源电压TO 92（TO 226AA） 连续VGS 20Vdc 非重复性（tp？ 50 s）VGSM 40Vpk漏极电流（1）ID 0.5 Adc

离散半导体数据表BS170 N沟道垂直D-MOS晶体管1995年4月产品规格文件分立半导体，SC13b飞利浦半导体产品规格N沟道垂直D-MOS晶体管BS170描述快速参考数据N沟道增强模式漏源电压VDS最大。 TO-92栅源电压为60 V垂直D-MOS晶体管

 N通道增强模式场效应晶体管概述特性这些N通道增强模式场效应 高密度单元设计，适用于低RDS（ON）。 晶体管采用飞兆半导体专有的高 电压控制小信号开关生产。 细胞密度，DMOS技术。 这些产品旨在最大限度地减少对状态的影响

N通道增强模式场效应晶体管概述特性这些N通道增强模式场效应高密度单元设计适用于低RDS（ON）。 晶体管采用飞兆半导体专有的高压控制小信号开关生产。 细胞密度，DMOS技术。 这些产品旨在最大限度地减少国家抵御

P，BS170 Vishay Siliconix N沟道60V（DS）MOSFET产品概要部件号V（BR）DSS最小值（V）rDS（亮）最大值（W）VGS（th）（V）ID （A）5 @ VGS = 10 V 0.8至3 0.2 2N7000 2N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1至2.5 0.115 60  5.5 @ VGS = 10 V 0.8至2.5 0.225 5.5 @ VGS = 10 V 0.8至2.5 0.225 BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8至3 0.5特征优势应用D Lo

N沟道60V（DS）MOSFET特性产品概要 TrenchFET 功率MOSFET VDS（V）rDS（on）（？）VGS（th）（V）ID（A）无铅 ESD 受保护：2000 V可用2 VGS = 10 V 0.47 60 1.0至2.5 RoHS *应用符合4 VGS = 4.5 V0.33 直接逻辑电平接口：TTL /CMOS 固态继电器 驱动器：继电器，螺线管，Lam

 N沟道TO-92（TO-226）特性http://onsemi.com 这是一款无铅器件* 500 mA，60 V最大额定RDS（on）= 5.0 W额定值符号值单位漏极 - 源电压VDS 60 Vdc N沟道栅源电压D - 连续VGS 20Vdc - 非重复（tp？50 ms）VGSM 40Vpk漏极电流（注）ID 0.5 Adc G总计 设备D.

O2NC HNEEHNEET B10 S7F M EETADOFT ODVRILMSE CS SE-AUR19 FAUE ETRS * 6VlVS 0o tD S * RSN =Ω5D（O）D G PRMRI DTI-V ATAKGEA N LM ST3 O2 ASLTMX AI BOUE AIU NS MMRTG。 PRMTR SMO VLE UI AAEE YBL AU NT Da-or Vlg VS 6 V enae 0 iSuc t D Cnnosrnurttab2°I 05 m otuu Da CrnaTm = 5。 A i i e C 1 D PldriCrn I 3 A ue Da e s nurt D M GtS

N沟道增强型BS170P模式垂直DMOS FET问题2 - 9月93特性* 60 V VDS * RDS（on）=5ΩDG S参考用于图表E-Line TO92兼容绝对最大额定值。 参数符号值单元漏极 - 源极电压VDS 60 V Tamb = 25°C时的连续漏极电流ID 270 mA脉冲漏极电流IDM 3A栅极 - 源极电压VGS±20 V功耗