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碳化硅（SiC）是一种应用十分普遍的人造材料，与Si器件相比，以碳化硅（Silicon Carbide SiC）为代表的宽禁带半导体功率器件具有更高的电压等级、更高的开关速度、更高的结温、更低的开关损耗等优势。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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