双向可控硅使用条件

双向可控硅使用条件

　　（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用。

　　（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。

　　（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。

　　一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。