使用时主要关注的MOS管参数

使用时主要关注的MOS管参数

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量MOS管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，MOS管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在MOS管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指MOS管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，MOS管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指MOS管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOS管的工作电流不应超过IDSM。