Multi-EPI：该工艺是开发最早，较为成 熟的工艺。它是基于平面硅生长技术，采用的是多层外延生长技术，通过在硅衬底上，再通 过多次掺杂，热推进，生长多层掺杂不同的外延层，形成多个PN结，从而实现超...
首先是在性能方面考虑： 与NMOS管驱动能力相同的一个PMOS管，其器件面积可能是NMOS管的2～3倍，然而器件面积会影响导通电阻、输入输出电容，而这些相关的参数容易导致电路的延迟。
指的是在栅源之间，当栅极电压变化时，源极电流的变化率。MOS管的输入电阻通常很高，具有很高的绝缘性能，这意味着只有极小的漏电流通过栅极。不过这种高电阻可以减小控制电路的功耗，让它可以作为信号放大器的输...
在电子实际应用中，我们会经常看到MOSFET和IGBT，两者都可以作为开关元件来使用。那为什么在有的电路中用的是MOSFET，有的是IGBT呢？其实，这是因为MOSFET和IGBT内部结构不同，才造就...
漏极电流是会随着漏极电压的增加而增加的，但其增加的速度会非常缓慢，这是因为在可变电阻区，MOS管的漏-源极之间的电阻非常大，因此MOS管的导通状态不能完全打开，只能通过很小的电流。
碳化硅MOS在直流充电桩中具有低导通电阻、高开关速度和高温特性等优点，可实现快速充电。推荐使用碳化硅MOS产品，具有耐高压、耐高频、耐高温等优势，能带来更小尺寸的产品设计和更好效率。
