本文介绍了五种MOS管在实际应用中存在的漏电流：反偏结泄漏电流、栅极致漏极泄漏电流、栅极直接隧穿电流、亚阈值泄漏电流和隧穿栅极氧化层漏电流。这些漏电流会影响低功耗设备电池的寿命和s&h电路信号保持时间...
米勒电容：在栅极（G）和漏极（D）之间的一个寄生电容。 当MOSFET关断时，米勒电容的存在，会使MOS管的Vds产生一个电压从接近0（饱和压降）到母线的变化过程，这个电压变化率就是“dv/dt...
栅极驱动 IC 式自举电路的设计说明 自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的。 当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 ，（低端开关导通，高端开关关断） 电源 VDD...
但根据N管的工作特性，N管的输出电压幅值=Vb=0.7V，因此其输出幅值会受到输出信号的限制，这就严格要求到了输入信号的幅值，否则会容易导致后级的高电平信号不够高。
电源的正负极一旦接反，就会导致很多电子元器件烧毁，其中主要的缘由是因为电流过大导致器件被击穿，因此实际应用中必须采取防止接反的措施。
