当 MOSFET 关断，随后对管导通时， Vds 电压（漏极与源极之间所能施加的最大电压值）快速上升产生高的 dv/dt（开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率），从而在电容 Cgd （米勒电容）中产生...
推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，一只放大正半周信号，另一只放大负半周信号，从而实现对完整信号的放大。两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小...
Multi-EPI：该工艺是开发最早，较为成 熟的工艺。它是基于平面硅生长技术，采用的是多层外延生长技术，通过在硅衬底上，再通 过多次掺杂，热推进，生长多层掺杂不同的外延层，形成多个PN结，从而实现超...
首先是在性能方面考虑： 与NMOS管驱动能力相同的一个PMOS管，其器件面积可能是NMOS管的2～3倍，然而器件面积会影响导通电阻、输入输出电容，而这些相关的参数容易导致电路的延迟。
指的是在栅源之间，当栅极电压变化时，源极电流的变化率。MOS管的输入电阻通常很高，具有很高的绝缘性能，这意味着只有极小的漏电流通过栅极。不过这种高电阻可以减小控制电路的功耗，让它可以作为信号放大器的输...
在电子实际应用中，我们会经常看到MOSFET和IGBT，两者都可以作为开关元件来使用。那为什么在有的电路中用的是MOSFET，有的是IGBT呢？其实，这是因为MOSFET和IGBT内部结构不同，才造就...
