衬偏效应和体效应(MOSFET篇)

衬底偏置效应和体效应是半导体器件中常见的两种效应。

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MOS管Vg大于Vth后,耗尽区会不会继续变大?

但当栅极电压超过阈值电压时,MOS管进入了放大区或饱和区,这意味着栅极电压足够大以至于完全反转了耗尽区。 在饱和区或放大区,MOS管的漏极到源极的电流几乎不再受耗尽区的影响。相反,漏极到源极电流主要...

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求解mos管亚阈值导通现象?

当栅极电压低于阈值电压时,栅极与漏极之间的反型二极管会出现反向偏置,这会导致漏极侧的亚阈值电流开始流动。 亚阈值导通现象是由于亚阈值电流的存在。在亚阈值区域,MOS管的亚阈值电流随着栅极电压的增加而...

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在MOSFET导通实际应用中,为什么以栅源电压VGS大于VTH为判断依据

VTH 与 VGS 之间的关系可以通过 MOS 管的转移特性曲线来直观地表示。在 VGS 大于 VTH 时,MOS 管导通,电流可以通过;在 VGS 小于 VTH 时,MOS 管截止,电流几乎不会通过...

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晶圆代工是什么?

晶圆(英:Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,是生产集成电路所用的载体。现实中常见的硅晶片有电脑CPU和手机芯片等等。

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四种常见的MOS管驱动电路设计

MOS管常见的几种驱动电路设计(但不限于)以及如何选择合适的驱动电路设计来驱动MOS管。

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