mos管功耗计算

日期:2024-04-24 分类:产品知识 浏览:982 来源:广东佑风微电子有限公司


       MOSFET驱动器的功耗包含三部分:

1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。

与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的,特别在很低的开关频率时。

2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。

高电平时和低电平时的静态功耗。

3. MOSFET 驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。

由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗,通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管(FET)在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。


上一篇:TVS在仪表仪器电路中的作用有哪些?

下一篇:DS120W 1A 200V SOD-123FL 印字YFW S120 肖特基二极管 YFW佑风微品牌

客服微信
咨询电话
0769-82730221
My title page contents