日期：2023-05-12 分类：产品知识 浏览：891 来源：广东佑风微电子有限公司
MOSFET雪崩击穿特性参数
这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态
EAS：单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数，说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量
IAR：雪崩电流
EAR：重复雪崩击穿能量
5、体内二极管参数
IS：连续最大续流电流（从源极）
ISM：脉冲最大续流电流（从源极）
VSD：正向导通压降
Trr：反向恢复时间
Qrr：反向恢复充电电量
Ton：正向导通时间。（基本可以忽略不计）
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