传统的防反保护电路，一般采用的都是PMOS管。 将PMOS的G极接电阻到地（GND），当输入端连接正向电压时，电流流过PMOS的体二极管到负载端。 如果正向电压超过 PMOS的门限阈值，主...
简单的栅极驱动电路设计，我们会使用NMOS来作防反电路，原因是成本较低。 PMOS一般会放置在电路的高边，NMOS则是在低边放置。两者的功能类似。不过，NMOS的防反结构，它的电源地和负载地是分...
功率MOSFET分为耗尽型（DM）和增强型（EM）两种，两者主要在于导电沟道的区别，两者的控制方式不同。 耗尽型MOS管的G端在不施加电压时就会有导电沟道的存在，增强型MOS管则相反，只有在开启...
早期时候的工艺仅仅支持NMOS来实现逻辑功能。如今采用NMOS+PMOS，是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面积，并且具有更高的放大倍数。
IGBT在栅极和发射极之间加入正电压就可以进行导通。不过，这个正电压至少需要高于阈值电压。如果栅极和发射极之间的电压低于阈值电压，IGBT则将关闭或者处于截止状态。
本文介绍了五种MOS管在实际应用中存在的漏电流：反偏结泄漏电流、栅极致漏极泄漏电流、栅极直接隧穿电流、亚阈值泄漏电流和隧穿栅极氧化层漏电流。这些漏电流会影响低功耗设备电池的寿命和s&h电路信号保持时间...
