SGTMOSFET是一种具有高功率密度、低开关损耗和优良EMI性能的功率器件。它采用屏蔽栅沟槽技术，适用于电动工具和锂电保护板等领域。SGTMOSFET具有高电压能力、高能效、高可靠性和抗干扰性强等优...
实际上，BJT的电流与MOS管有很大区别。BJT的电流方向是固定的，但MOS管并非唯一。我们知道，寄生二极管，即体二极管，MOS管的电流方向与其极性是相反的。 也就是说，当MOS管在进行开关使用...
IGBT的应用 换流电路主要用于控制IGBT的导通和关断过程，以实现电流的正向和反向流动。 不过要注意，并不是所有的IGBT开关过程都需要换流，具体要看电路的情况。
MOS管驱动有很多种，之前我们有所了解，其中有一种就是用专门的驱动芯片进行驱动，我们主要围绕这个驱动设计来展开。 在MOS管关断的时候，一般电压会比开通的时候更高，关断产生的损耗也比开通产生的损耗要...
在开通瞬间前级电源电压跌落，这是因为开关速度过快，mos 管开启瞬间充电电流引起。解决这个问题的关键在于，降低大容量电容的充电速度。
新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。 碳化硅（SiC）技术赋予了我们无尽的新机遇。在寻求高度可靠电源系统的诸多领域，SiC MOSFET凭借高效能，为各行各业的多样化应用提供了完美解决方...
