在电子实际应用中，我们会经常看到MOSFET和IGBT，两者都可以作为开关元件来使用。那为什么在有的电路中用的是MOSFET，有的是IGBT呢？其实，这是因为MOSFET和IGBT内部结构不同，才造就...
漏极电流是会随着漏极电压的增加而增加的，但其增加的速度会非常缓慢，这是因为在可变电阻区，MOS管的漏-源极之间的电阻非常大，因此MOS管的导通状态不能完全打开，只能通过很小的电流。
碳化硅MOS在直流充电桩中具有低导通电阻、高开关速度和高温特性等优点，可实现快速充电。推荐使用碳化硅MOS产品，具有耐高压、耐高频、耐高温等优势，能带来更小尺寸的产品设计和更好效率。
是指电源在运行时，异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是由于芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿...
MOS管发热问题通常由电路设计问题、驱动频率过高、散热设计不足或MOS管选型不当等因素导致。发热会导致功率管损耗增加，从而影响MOS管性能。因此，应关注散热设计，选择合适的散热片，并选择低导通电阻的M...
本文介绍了功率MOSFET在PCM保护电路模块中的工作原理及性能要求。PCM使用两个N沟道功率MOSFET，一个用于充电，另一个用于放电。为提高充电速度和缩减充电时间，要求功率MOSFET具有更低的...
