PM是TVS能承受的最大峰值脉冲耗散功率。
场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）
p沟道mos管是指n型衬管底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G
触发脉冲的时间和位置需要与电路中可控器件的导通条件相匹配
器件质量是影响可控硅工作寿命的一个因素。如果使用的可控硅器件质量不佳，就容易出现损坏和故障。
