MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，
MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
以IRF840的参数计算，假定门极电压10V，那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是，不是经过一个时间常数之后
MOS管就关断了，而是门极电压下降到Vg(th)以下
MOS管才会关断。这段时间与
MOS管型号有关，与门极充电达到的电压有关(实际上门极电容并不是线性电容)，不太准确的估计，可以把门极电容放电时间估计为63us的2倍，即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小(首帖图中为3千欧)，估计充电时间为0.06ms。那么充电放电时间一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关工作频率为5.5kHz。
MOS管开关电路
下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图：
D1作用：
续流二极管
R1作用：
1、限流电阻，减小瞬间电流值：MOS管属于压控型器件，两两引脚之间存在寄生电容（Cgs、Cgd、Cds）:规格书中一般会标注Ciss、Coss、Crss：
Ciss = Cgs + Cgd
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
如图Ciss=587pF，假设VGs=24V，dt=Tr（上升时间）=20ns，则MOS管在开关时的瞬间电流I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A
当在栅极串接一个电阻（几Ω~上千Ω）时，会与Ciss形成RC充放电回路，从而减小瞬间电流值
2、调节MOS管的通断速度，有利于控制EMI：同时，加上R1后，MOS管通断切换时间会变慢，有利于控制EMI；但是如果串接的电阻太大，会导致栅极达到导通电压的时间变长，也就是说MOS管处在半导通状态的时间太长，此时MOS管内阻较大，Rds->Rdson的时间比较长，Rds会消耗大量的功率，可能导致MOS管因发热而损坏。
3、抑制栅极振荡：MOS管接入电路后，引入引线寄生电感，会与寄生电容形成LC振荡电路，对于方波这种开关波形信号来说包含很多频率成分：
那么就可能在某个谐振频率相同或者相近时形成串联谐振电路，串接一个电阻后会减小振荡电路的Q值，从而使振荡快速衰减。
R2作用：
1、G极对地电阻（一般5KΩ~数十KΩ），通过下拉为MOS管提供一个固定偏置，避免当IC驱动口处于高阻态的情况下G极受到干扰信号使MOS管意外导通。
2、泄放电阻，通过这个电阻泄放掉G-S之间的少量静电（G-S之间的电阻很大很大，少量的静电就能通过G-S之间的等效电容产生很高的电压，此时由于RGS很大，感应电荷难以释放，以致于高压将MOS管很薄的绝缘层击穿，损坏MOS管）从而保护MOS管，如果没有这个电阻，MOS管容易受到外界干扰意外导通烧坏，此外在MOS管工作不断开通关断的时候对寄生电容进行适当的放电以保护MOS管。
